Το τσιπ Surge P1 των 120W δεν αναπτύχθηκε από την Xiaomi; Η επίσημη απάντηση
Το Xiaomi 12 Pro που κυκλοφόρησε στις 30 Δεκεμβρίου 2021 είναι το πρώτο smartphone που εφαρμόζει μια λύση φόρτισης μονής κυψέλης 120 W, καθώς είναι εξοπλισμένο με το τσιπ φόρτισης Surge P1 που αναπτύχθηκε από την ίδια τη μάρκα. Λοιπόν, από αυτή την άποψη, σήμερα η εταιρεία Shanghai Nanxin Semiconductor Technology κυκλοφόρησε μια δήλωση, δηλώνοντας ότι τις προηγούμενες εβδομάδες έχουν τρέξει διαφορετικά στο τσιπ Xiaomi Surge P1 ή ότι ήταν πανομοιότυπο με αυτό που παρήγαγε η Nanxin Semiconductor.
Το τσιπ Surge P1 των 120W δεν αναπτύχθηκε από την Xiaomi; Η επίσημη απάντηση
Ως εκ τούτου, η εταιρεία διευκρίνισε ότι ένα από τα τσιπ που αναπτύχθηκε και παρήχθη από την Nanxin Semiconductor έχει εσωτερικό κωδικό SC8561. Αυτό το τσιπ έχει αρχιτεκτονική φόρτισης εξαιρετικά υψηλής τάσης 4: 1, πραγματοποιεί φόρτιση μονής κυψέλης 120 W, υποστηρίζει λειτουργίες μετατροπής 1: 12: 1 και 4: 1, όλες οι λειτουργίες μπορούν να λειτουργήσουν αμφίδρομα και μπορούν να φτάσουν τα 120 W ενσύρματη, 50 W ασύρματη, αντίστροφη ασύρματη φόρτιση και άλλες λειτουργίες φόρτισης.
Ενώ το τσιπ Nanxin SC8571 που κυκλοφόρησε από την Nanxin Semiconductor τον Σεπτέμβριο του 2021 έχει αρχιτεκτονική φόρτισης εξαιρετικά υψηλής τάσης 4: 2, ικανή να πραγματοποιήσει φόρτιση διπλής κυψέλης 120 W. Υποστηρίζει λειτουργίες 4: 22: 2 για απαιτήσεις φόρτισης πολύ υψηλή ισχύ.
Από την άλλη πλευρά, το τσιπ φόρτισης Surge P1 που αναπτύχθηκε από τη Xiaomi είναι εντελώς διαφορετικό από το Nanxin SC8571. Είναι δύο τσιπ φόρτισης με διαφορετικά σχέδια, διαφορετικές λειτουργίες και διαφορετική τοποθέτηση.
Σύμφωνα με την επίσημη εισαγωγή της Xiaomi, το Surge P1 έχει αρχιτεκτονική εξαιρετικά υψηλής απόδοσης 4: 1 με προσαρμοστική συχνότητα μεταγωγής, η απόδοση συντονισμού είναι έως και 97,5%, η απόδοση μη συντονισμού είναι 96,8% και η απώλεια θερμότητας πέφτει κατακόρυφα 30% .
Ταυτόχρονα, το Surge P1 είναι επίσης το τσιπ φόρτισης 4:1 με την υψηλότερη απόδοση φόρτισης της Xiaomi, το οποίο μπορεί να επιτύχει εξαιρετικά υψηλή πυκνότητα ισχύος 0,83 W / mm² και έχει επίσης εξαιρετικά χαμηλό LDMOS 1.18 mΩmm² κορυφαίο RSP στη βιομηχανία. Σε γενικές γραμμές, ένα πολύ υψηλότερο τσιπ από τα παραδοσιακά φόρτιση.
Γιατί λοιπόν προέκυψε αυτή η παρεξήγηση; Λοιπόν, απλώς και μόνο επειδή το τσιπ Xiaomi Surge P1 κατασκευάστηκε στα εργοστάσια της Nanxin Semiconductor, αλλά αυτό δεν σημαίνει ότι δεν ήταν η Xiaomi που το ανέπτυξε. Στην πραγματικότητα, πολύ λίγες εταιρείες (αν υπάρχουν) έχουν διαθέσιμα εργοστάσια για την παραγωγή των διαφόρων εξαρτημάτων για τις συσκευές τους.
Σε προσφορά στο Amazon
